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3um中红外MCT两级TE冷却光电探测器2-12um ,PV-2TE系列


响应波长范围 2-12μm;最佳波长 3μm;相对响应强度≥7×10^10 cm∙Hz^(1/2)/w@3μm;光敏面 0.1×0.1mm^2;抗反射涂层窗口

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货号 : E80040146    
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产品总览

PV-2TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光探测器,具有优秀的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到它本身能达到的的最佳性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏压可以显著提高响应速度和动态范围,以及高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。

型号参数

产品特点

● 含有两级TE制冷以提高探测器性能

● 可探测中红外波长范围2-12μm

● 可配专用前置放大器

● 带有抗反射涂层窗口镜


产品应用

● 医学热成像

● 红外光谱分析

● 中红外气体吸收检测

● 中红外激光探测




参数

探测器型号

PV-2TE-3

PV-2TE-3.4

PV-2TE-4

PV-2TE-5

PV-2TE-6

PV-2TE-8

PV-2TE-10.6

有源元件材料

外延MCT异质结构


最佳波长λopt,μm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

探测灵敏度D*(λpeak),cm·Hz½/w

≥1×1011

≥6×1010

≥4×1010

≥1.5×1010

≥5×109

≥4×108

≥2×108

探测灵敏度D*(λopt),cm·Hz½/W

≥7×1010

≥4×1010

≥3×1010

≥9×109

≥2×109

≥2×108

≥1×108

电流响应度Ri(λopt),A/W

≥0.5

≥0.8

≥1.0

≥1.3

≥1.5

≥0.8

≥0.4

时间常数T,ns

280

200

≤100

≤80

≤50

≤45

≤10

电阻-感光元件面积乘积R·A,Ω·cm2

≥150

≥3

≥2

≥0.1

≥0.02

≥0.0002

≥0.0001

有源元件温度Tdet,K

~230

感光面面积A,mm×mm

0.05×0.05,0.1×0.1

0.05×0.05

封装

TO8,TO66

接收角Φ

70°

窗口

wAl2O3

wZnSeAR


2TE-TO8封装尺寸图

2TE-TO8引脚定义

功能

PIN号

探测器

1,3

热敏电阻

7,9

TE冷却器供应

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12


2TE-TO66封装尺寸图

2TE-TO66引脚定义

功能

引脚编号

探测器

7,8

热敏电阻

5,6

TE致冷供给

1(+),9(-)

未使用

2,3,4

探测器光谱响应特性曲线

PV-2TE.jpeg

热敏电阻特性曲线

PV-2TE1.jpeg

两级TE冷却参数表

参量

数值

Tdet , K

~230

Vmax , V

1.3

Imax , A

1.2

Qmax , W

0.36


抗反射涂层窗口光谱透过率曲线

PV-2TE2.jpeg


其它型号
  名称 型号货号         价格
碲镉汞 MCT 双极热电制冷 光浸没式 红外光伏探测器 2.9-5.5um E80040131
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2 - 13 um , MCT 中红外HgCdTe非冷却多结光伏探测器 PVM系列 E80040143
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3um MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5um HgCdTe E80040144
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2.5-6.5um MCT碲镉汞 中红外非制冷光电探测器 PVI系列 E80040145
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2-12um 中红外MCT三级热电冷却红外光电探测器, 带TEC ,PV-3TE系列 E80040147
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2-12um 中红外MCT 四级热电冷却红外光电探测器 PV-4TE系列 E80040148
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2-12um MCT 中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列 E80040149
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2-12um , MCT中红外三级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-3TE系列 E80040150
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2-12um ,MCT中红外四级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-4TE系列 E80040151
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