材料:Silicon硅 上升/下降时间:<50ps/<500ps; 转换增益:450 V/W @830 nm 带宽:30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径:400um; 输出连接:BNC
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货号 : E80040618 | |
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筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品
EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量<1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。
EOT 的放大光电探测器带有自己的墙上插入式电源 将同轴电缆插入光电探测器的 SMA 或 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。
特征
内置跨阻放大器
占地面积小
外墙插电电源
带宽高达 10 GHz
选项
探测器材质
活动区
提供光纤耦合或自由空间选项
应用
监测高重复率、外部调制的连续激光器
查看<1 mW 的激光功率
零件号 (型号) | (ET-2030A) a |
探测器材质 | |
上升时间/下降时间 | |
转换增益 | |
电源 | |
带宽 | |
有效面积直径 | |
接受角(1/2角) | |
噪声等效功率b | |
Max. 线性额定值 | |
安装(螺纹孔) | |
输出连接器 |
SPECIFICATIONS | ||||||||
Part No. (Model)型号 | 120-10013-0001 (ET-2030A)a | 120-10036-0001 (ET-3000A)a | 120-10060-0001 (ET-3500A)a | 120-10064-0001 (ET-3500AF)a | 120-10073-0001 (ET-4000A)a | 120-10077-0001 (ET-4000AF)a | 120-10115-0001 (ET-5000A)a | 120-10116-0001 (ET-5000AF)a |
Detector Material 探测器材料 | Silicon | InGaAs | InGaAs | InGaAs | GaAs | GaAs | InGaAs | InGaAs |
Rise Time/Fall Time 上升/下降时间 | <500 ps/<500 ps | <400 ps/<400 ps | 35 ps/35 ps | 35 ps/35 ps | 35 ps/35 ps | 35 ps/35 ps | 35 ps/35 ps | 35 ps/35 ps |
Conversion Gain 转换增益 | 450 V/W at 830 nm | 900 V/W at 1300 nm | 2250 V/W at 1310 nm | 1620 V/W at 1310 nm | 1340 V/W at 850 nm | 970 V/W at 850 nm | 3250 V/W at 2000 nm | 2350 V/W at 2000 nm |
Power Supply 电源 | 24 VDC | 24 VDC | 5 VDC | 5 VDC | 5 VDC | 5 VDC | 5 VDC | 5 VDC |
Bandwidth 带宽 | 30 kHz to 1.2 GHz | 30 kHz to 1.5 GHz | 20 kHz to 10 GHz | 20 kHz to 10 GHz | 20 kHz to 10 GHz | 20 kHz to 10 GHz | 20 kHz to 10 GHz | 20 kHz to 10 GHz |
Active Area Diameter 有效面积直径 | 400 µm | 100 µm | 32 µm | 32 µm | 60 µm | 60 µm | 40 µm | 40 µm |
Acceptance Angle (1/2 angle) 接受角(1/2角) | 10⁰ | 20⁰ | 15⁰ | N/A | 15⁰ | N/A | 20⁰ | N/A |
Noise Equivalent Powerb 噪声等效功率 | <60 pW/√Hz at 830 nm | <30 pW/√Hz at 1300 nm | 25 pW/√Hz at 1310 nm | 30 pW/√Hz at 1310 nm | 35 pW/√Hz at 850 nm | 50 pW/√Hz at 850 nm | 20 pW/√Hz at 2000nm | 25 pW/√Hz at 2000 nm |
DC Monitor Output 直流监视器输出 | 1 mV/µA | 1 mV/µA | 1 mV/µA | 1 mV/µA | 1 mV/µA | 1 mV/µA | ||
Maximum Linear Rating Max. 线性额定值 | 1.3 V peak | 1.3 V peak | 450 mVp-p | 450 mVp-p | 450 mVp-p | 450 mVp-p | 450 mVp-p | 450 mVp-p |
Mounting (Tapped Holes) 安装(螺纹孔) | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 |
Output Connector 输出连接器 | BNC | BNC | SMA | SMA | SMA | SMA | SMA | SMA |
Fiber Optic Connectionc 光纤 连接 | N/A | N/A | N/A | FC/UPC | N/A | FC/UPC | N/A | FC/UPC |
产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。
交流耦合
b噪声等效功率(NEP)通过短路输出确定。
c多模光纤可用。可能会限制带宽。
注:除非另有说明,否则所有规范均适用于50Ω终端。
名称 | 型号货号 | 描述 | 参数 | 价格 |
---|---|---|---|---|
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E80040619
库存/货期:请咨询客服 |
材料:Silicon 上升/下降时间:<30ps/<300ps; 响应度:0.47A/W@830nm; 带宽:>1.2GHz; 有效面积直径:0.4mm; 输出连接:BNC |
带宽(Hz): >1.2 GHz |
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E80040614
库存/货期:请咨询客服 |
材料:InGaAs 上升/下降时间:<25ps/<25ps; 响应度:0.9A/W@1300nm; 带宽:>15GHz; 有效面积直径:32um; 输出连接:SMA 光纤连接 不适用 |
带宽(Hz): >15 GHz |
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E80040613
库存/货期:请咨询客服 |
材料:InGaAs 上升/下降时间:<40ps/<400ps; 转换增益:900 V/W @1300 nm 带宽:30 kHz to 1.5GHz 有效面积直径:100um; 输出连接:BNC |
带宽(Hz): 30 kHz-1.5GHz |
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E80040608
库存/货期:请咨询客服 |
材料:InGaAs 上升/下降时间:<25ps/<25ps; 响应度:0.65A/W@1300nm; 带宽:>15GHz; 有效面积直径:32um; 输出连接:SMA 光纤连接 FC/UPC;SMF28e |
带宽(Hz): >15 GHz |
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E80040607
库存/货期:请咨询客服 |
材料:InGaAs; 上升/下降时间:<16ps /<16ps; 响应度:0.7A/W@1300nm; 带宽:>22GHz; 有效面积直径:20um; 输出连接:SMA ; 光纤连接 不适用 |
带宽(Hz): >22 GHz |
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E80040606
库存/货期:请咨询客服 |
材料:InGaAs 上升/下降时间:<16ps/<16ps; 响应度:0.7A/W@1300nm; 带宽:>22GHz; 有效面积直径:20um; 输出连接:SMA 光纤连接 FC/UPC、SMF28e |
带宽(Hz): >22 GHz |
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E80040620
库存/货期:请咨询客服 |
材料:GaAs 上升/下降时间:<30ps/<30ps; 响应度:0.53A/W@830nm; 带宽:>12.5GHz; 有效面积直径:60um; 输出连接:SMA 光纤连接c 不适用 |
带宽(Hz): >12.5 GHz |
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E80040605
库存/货期:请咨询客服 |
材料:GaAs 上升/下降时间:<30ps/<30ps; 响应度:0.38A/W@830nm; 带宽:>12.5GHz; 有效面积直径:60um; 输出连接:SMA 光纤连接 FC/UPC、SMF28e |
带宽(Hz): >12.5 GHz |
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E80040604
库存/货期:请咨询客服 |
材料:InGaAs 上升/下降时间:<28ps/<28ps; 响应度:1.3A/W@2000nm; 带宽:>10GHz; 有效面积直径:40um; 输出连接:SMA 光纤连接;不适用 |
带宽(Hz): >10 GHz |
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E80040603
库存/货期:请咨询客服 |
材料:InGaAs 上升/下降时间:<28ps/<28ps; 响应度:0.9A/W@2000nm; 带宽:>10GHz; 有效面积直径:40um; 输出连接:SMA 光纤连接;FC/UPC |
带宽(Hz): >10 GHz |
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E80040617
库存/货期:请咨询客服 |
材料:Silicon 上升/下降时间:<30ns/<30ns; 响应度:0.6A/W@830nm; 带宽:>25MHz; 有效面积直径:4.57mm; 输出连接:BNC |
带宽(Hz): >25 MHz |
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E80040616
库存/货期:请咨询客服 |
材料:Silicon 上升/下降时间:<32ps/<320ps; 响应度:0.47A/W@830nm; 带宽:>1.1GHz; 有效面积直径:0.4mm; 输出连接:BNC; 工作温度:-20 - 50℃; |
带宽(Hz): >1.1 GHz |
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E80040615
库存/货期:请咨询客服 |
材料:Silicon; 上升/下降时间:<3ns/<3ns; 响应度:0.56A/W@830nm; 带宽:>118MHz; 有效面积直径:2.55mm; 输出连接:BNC |
带宽(Hz): 118 MHz |
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E80040602
库存/货期:请咨询客服 |
材料:铟镓砷 上升/下降时间:<17ps / <175ps; 响应度: 0.9A/ W@1300nm; 带宽:>2GHz; 有效面积直径:100um; 输出连接:BNC; |
带宽(Hz): >2 GHz |
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E80040601
库存/货期:请咨询客服 |
材料:InGaAs 上升/下降时间:<17ps/<175ps; 响应度:0.9A/W@1300nm; 带宽:>2GHz; 有效面积直径:100um; 输出连接:BNC |
带宽(Hz): >2 GHz |
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