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硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT


材料:Silicon硅 上升/下降时间:<50ps/<500ps; 转换增益:450 V/W @830 nm 带宽:30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径:400um; 输出连接:BNC

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货号 : E80040618    
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产品总览

筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品

EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量<1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。 

EOT 的放大光电探测器带有自己的墙上插入式电源 将同轴电缆插入光电探测器的 SMA 或 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。



型号参数

特征

内置跨阻放大器

占地面积小

外墙插电电源

带宽高达 10 GHz

选项

探测器材质

活动区

提供光纤耦合或自由空间选项

应用

监测高重复率、外部调制的连续激光器

查看<1 mW 的激光功率


ET-2030A - 2 GHz 硅放大光电探测器

零件号
(型号)
120-10013-0001
(ET-2030A) a
探测器材质
上升时间/下降时间
<50 ps/<500 ps
转换增益
830 nm 时为 450 V/W
电源
24 伏直流电
带宽
30 kHz 至 1.2 GHz
有效面积直径
400 微米
接受角(1/2角)
10 °
噪声等效功率b
<60 pW/√Hz 在 830 nm
Max. 线性额定值
1.3V 峰值
安装(螺纹孔)
8-32 或 M4
输出连接器
BNC


SPECIFICATIONS

Part   No.

(Model)型号

120-10013-0001

(ET-2030A)a

120-10036-0001

(ET-3000A)a

120-10060-0001

(ET-3500A)a

120-10064-0001

(ET-3500AF)a

120-10073-0001

(ET-4000A)a

120-10077-0001

(ET-4000AF)a

120-10115-0001

(ET-5000A)a

120-10116-0001

(ET-5000AF)a

Detector Material

探测器材料

Silicon

InGaAs

InGaAs

InGaAs

GaAs

GaAs

InGaAs

InGaAs

Rise Time/Fall Time

上升/下降时间

<500 ps/<500 ps

<400 ps/<400 ps

35 ps/35 ps

35 ps/35 ps

35 ps/35 ps

35 ps/35 ps

35 ps/35 ps

35 ps/35 ps

Conversion   Gain

转换增益

450 V/W

at 830 nm

900 V/W

at 1300 nm

2250 V/W

at 1310 nm

1620 V/W

at 1310 nm

1340 V/W

at 850 nm

970 V/W

at 850 nm

3250 V/W

at 2000 nm

2350 V/W

at 2000 nm

Power   Supply

电源

24 VDC

24 VDC

5 VDC

5 VDC

5 VDC

5 VDC

5 VDC

5 VDC

Bandwidth

带宽

30 kHz to 1.2   GHz

30 kHz to 1.5   GHz

20 kHz to 10 GHz

20 kHz to 10 GHz

20 kHz to 10 GHz

20 kHz to 10 GHz

20 kHz to 10 GHz

20 kHz to 10 GHz

Active   Area

Diameter

有效面积直径

400 µm

100 µm

32 µm

32 µm

60 µm

60 µm

40 µm

40 µm

Acceptance Angle (1/2 angle)

接受角(1/2角)

10⁰

20⁰

15⁰

N/A

15⁰

N/A

20⁰

N/A

Noise   Equivalent

Powerb

噪声等效功率

<60   pW/√Hz

at 830   nm

<30 pW/√Hz

at 1300 nm

25 pW/√Hz

at 1310 nm

30 pW/√Hz

at 1310 nm

35 pW/√Hz

at 850 nm

50 pW/√Hz

at 850 nm

20 pW/√Hz

at 2000nm

25 pW/√Hz

at 2000 nm

DC Monitor Output

直流监视器输出



1 mV/µA

1 mV/µA

1 mV/µA

1 mV/µA

1 mV/µA

1 mV/µA

Maximum   Linear Rating

Max. 线性额定值

1.3 V peak

1.3 V peak

450   mVp-p

450   mVp-p

450   mVp-p

450   mVp-p

450   mVp-p

450   mVp-p

Mounting (Tapped Holes)

安装(螺纹孔)

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

Output Connector

输出连接器

BNC

BNC

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

Fiber Optic

Connection

光纤

连接


N/A

N/A

N/A

FC/UPC

N/A

FC/UPC

N/A

FC/UPC


产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。

交流耦合

b噪声等效功率(NEP)通过短路输出确定。

c多模光纤可用。可能会限制带宽。

注:除非另有说明,否则所有规范均适用于50Ω终端。



22263.png

其它型号
  名称 型号货号         价格
硅 Silicon ET-2030 高速 硅光电探测器 >1.2GHz 美国EOT E80040619
库存/货期:请咨询客服
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, >15 GHz 美国EOT E80040614
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铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT E80040613
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, >15 GHz 美国EOT E80040608
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, >22 GHz 美国EOT E80040607
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, >22 GHz 美国EOT E80040606
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砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT E80040620
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砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT E80040605
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美 国EOT E80040604
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铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT E80040603
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硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 >25MHz 美国EOT E80040617
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硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT E80040616
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硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT E80040615
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铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT E80040602
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铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT E80040601
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