规格
频率 200 MHz
频率控制 石英晶体参考锁相环。
谐波含量 £ - 15 dBc
频率稳定度 预热 15 分钟后z低为 0.0015%。
输出功率 ~2 W 针对 A-O 设备性能进行了优化。
调制 TTL 兼容;DC-20 MHz
调制输入 0 - 5 V,330 输入阻抗
工作功率 90-240 VAC +/-10% 50-60Hz,Max. 55W。
外壳 该设备将包装在一个宽 7.5 英寸、高 3.5英寸、深 8.75 英寸的仪器箱中。后面板散热器将深度增加到Max. 10.5 英寸。尺寸不包括连接器。
环境的标称实验室条件: z高环境温度 +35 摄氏度;设备未密封以防潮或防凝露。提供可拆卸交流电源线。
选项 ER50: 50dB调制消光比,系统(设备和驱动器)消光比将>45 dB。
低功耗
耐冲击和振动
低插入损耗
无 O 形圈
尺寸紧凑
规格
工作波长 2000nm 光带宽 ~50nm 基板 磷化镓(GaP) Max. 光功率 1 W(拼接,无连接器) 载频 200 MHz 主动光圈 0.1 mm 晶体内部光束直径 ~0.075 mm 上升时间 10ns 数字调制带宽 50 MHz 布拉格角 32mrad 分离角 63mrad 声速(米/秒) 6.31E+3 Max. 射频功率 (Watt) ~2.0 W 输入阻抗 50 ohms V.S.W.R. 2:1 光偏振 线性 (Linear) 外壳类型 2 端口光纤尾纤 光纤类型 8um纤芯, 125um 薄层单模 ,PM 偏振消光比 (PER) 16-19 dB 光纤连接器类型 FC 光纤末端抛光 APC 光纤长度 1 m 光纤套管类型 900 mm OD ((注:OP<230mW仅供测试) 背向反射* 50-60 dB 总插入损耗** 一阶 6-8 dB,边缘处额外约 0.5 dB |
*- 不包括 FC 连接器的背向反射。
**- 此规格包括:耦合损耗、通过晶体的光传输和衍射效率损耗。不包括 FC 连接器的损耗。
名称 | 型号货号 | 描述 | 参数 | 价格 |
---|