• 高亮度(意味着高吞吐量)以及出色的稳定性
• jue对Min. 碎片
• 很高的正常运行时间
• 掩膜及表面检查:
• 模板检查(PMI)
• 区域掩模检验(AIMS)
• 掩模空bai检验(MBI)
• 极紫外光学链中的极紫外扫描仪检测
• 材料科学
• 晶片光刻检验
主要技术参数
型号 | TEUS S-100 |
激光平均功率 | 100W |
脉冲重复率 | 25kHz或70kHz(z高) |
可收集EUV功率的立体角 | 0.05sr |
等离子体尺寸*µm | ≤ 60 or ≤ 40 |
带内辐射转换效率(13.5 nm±1%) | 2 % @2π·sr 或 1.6% @2π·sr |
ЕUV碎片缓减系统后带内通量收集角(13.5nm±1%) | 11 mW 或9 mW |
碎片缓减系统后带内光谱亮度(13.5nm±1%),W/mm2·sr | ≥ 80W/mm2·sr或≥ 140 W/mm2·sr |
等离子体稳定性 | 3% RMS |
系统寿命和维护要求
型号 | TEUS S-100 |
在24/7运行模式下,不使用特殊膜过滤器,收集器寿命降解10% | 不少于8个月 |
在24/7运行模式下,使用特殊膜过滤器,收集器寿命降解10% | 不少于18个月 |
每次维护时间: | 4个月- 1天 |
正常运行时间在24/7运行模式*** | 4个月 |
电力,系统尺寸和重量
型号 | TEUS S-100 |
电功率 | 6.5 kW |
维度(L×W×H) | 1500×1000×1200 mm |
重量,包括激光部件 | 770 公斤 |
设备需求
型号 | TEUS S-100 |
房间清洁度等级 | ISO7 |
水流速率 | 10升/分钟 |
名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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