波长范围

200-1100nm

350-1100nm

320-1100nm

感光尺寸

Φ1.0mm

Φ3.6mm

Φ10.0mm

带宽范围

350MHz

25MHz

10MHz

上升时间（@50Ω）

1ns

14ns

35ns

NEP

5.0×10^-14W/Hz^1/2

1.6×10^-14W/Hz^1/2

2.4×10-¹⁴W/Hz^1/2

暗电流

0.3nA(Typ.)/10nA(Max)

0.35nA(Typ.)/6.0nA(Max)

0.9nA(Typ.)/10nA(Max)

结电容

6pF(Typ.)

40pF(Typ.)

150pF(Typ.)

偏置电压

10V

输出电流

0~10mA

输出电压

~9V(Hi-Z)；
     ~170 mV(50Ω)

光敏面深度

0.09" (2.2 mm)

0.09" (2.2 mm)

0.13" (3.3mm)

工作温度

10-40℃

存储温度

-20-70℃

探测器净重

0.10kg

欠压指标

Vout ≤9V(Hi-Z) Vout ≤170mV(50Ω)

外观尺寸

2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8    mm X 22.5 mm)

供电电池

供电开关

信号接口

电池监测

支杆接口

光学接口

A23，12VDC，40mAh

滑动开关

BNC母座

瞬时按钮

M4 X 2

SM1 X 1
     SM0.5 X 1

产品名称

材料

类型

特点

波长范围 感光尺寸

预留可选配置

PD: "光电探测器"

S：Si硅基

B：偏压型

C：常规型

2B10：200-1100nm，Φ1.0mm

3E36：350-1100nm，Φ3.6mm

3D100：320-1100nm，Φ10.0mm

PDSBC2B10

A80153421

200-1100nm硅基偏压光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm，上升时间1ns，带宽350MHz

PDSBC3E36

A80153422

350-1100nm硅基偏压光电探测器，感光尺寸Φ3.6mm，上升时间14ns，带宽25MHz

PDSBC3D100

A80153423

320-1100nm硅基偏压光电探测器，感光尺寸Φ10.0mm，上升时间35ns，带宽10MHz