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砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb 光学浸没式 红外非冷却光伏探测器 2.0-5.5um PVIA系列  

 砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb 光学浸没式 红外非冷却光伏探测器 2.0-5.5um PVIA系列
PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光伏探测器,通过光学浸没来提升探测器的性能。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求。


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产品型号 1
货号 操作 名称
E80040157  非冷却光浸式 InAs 砷化铟 红外光伏探测器 2.15-3.5um   [PDF] 最佳波长λopt:2.15±0.2μm;相对响应强度D* (λpeak): 2.95±0.3 cm·Hz1/2/W;光敏面积 1×1mm^2;有源元件材料:外延InAs异质结构    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
总览

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光伏探测器,通过光学浸没来提升探测器的性能。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求。

产品特点

● 可探测红外波长范围2-5.5μm

● 可配专用前置放大器

● 高温度稳定性与机械耐久性

● 带有超半球微型砷化镓透镜以实现光学浸没,提升探测器的性能


产品应用

● 热成像

● FTIR光谱学

● 激光外差探测

● 中红外气体分析


通用参数

参数

探测器型号

PVIA-3

PVIA-5

有源元件材料

外延InAs异质结构

外延InAsSb异质结构

zui佳波长λopt(μm)

2.15±0.2

2.3±0.2

相对响应强度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

2.95±0.3

4.7±0.3

相对响应强度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

3.5±0.2

5.5±0.2

电流响应度-光敏面长度乘积Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥5×1010

≥5×109

时间常数T,ns

≥1.3

≥1.3

电阻R,Ω

≤20

≤15

元件工作温度Tdet,K

≥2K

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封装

TO39

接收角Φ

~36°

窗口


探测器光谱响应特性曲线

PVIA.png




封装及尺寸

TO8型封装外形尺寸图

PVIA1.pngPVIA2.png



透镜参数


参量

数值

浸没微型透镜形状

超半球形

光学区域面积AO, mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

2.4±0.20


ϕ—接收角度;

R—超半球微型透镜半径

A—超半球微型透镜底部与焦平面的距离


引脚定义

功能

引脚号

探测器

1(-),2(+)

接地

3











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