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半导体锥形光放大器 633-1180nm (放大高达3000mW)  

半导体锥形光放大器 633-1180nm (放大高达3000mW)
半导体光放大器,633nm .. 1180nm,高达 3000mW,单模,出色的光束轮廓,低种子功率 5mW .. 50mW,光纤种子版本


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产品型号 1
货号 操作 名称
半导体锥形光放大器 (放大高达1500mW)   [PDF] 输出功率:>1500mW;主功率>16mW;光束轮廓:圆形;M2模式轮廓:M² < 1.7(取决于主激光器);光束发散:<2 mrad;偏振:线性 >100:1;粗调范围:>15nm    价格 : ¥0 库存/货期:请咨询客服
总览

半导体光放大器,633nm .. 1180nm,高达 3000mW,单模,出色的光束轮廓,低种子功率 5mW .. 50mW,光纤种子版本

产品特点

高光功率

输出功率高达2500mW

光纤种子锥形放大器

优异的量子效率

高光纤耦合效率

调谐范围

780nm 或 830nm 时总调谐范围高达 30nm

窄线宽

线宽取决于主激光器

边模抑制取决于主激光器

高灵活性

与任何外腔二极管激光器兼容(自己制造或来自其他制造商)

提供自由光束和光纤耦合版本

恒流和恒功率工作模式(可选)

卓越的性能和用户友好的对齐方式

即插即用配置

通过 GPIB、RS232 和 USB 进行远程控制


产品应用

光谱学和光学过程控制

用于太赫兹产生的种子激光的放大

光学冷却和捕获,BEC

jue对距离干涉测量

非线性光学过程

光纤系统的表征


通用参数

红色曲线:TEC-400(without master)

黑色曲线:注入不同波长的主激光器




典型值:功率:800 mW , M2<1.7


通用参数

参数
输出功率500 mW~3000mW(取决于波长)
波长

735nm, 765nm, 780 nm, 795nm, 830nm,

 850nm, 915nm,980nm, 1020nm, 1060 nm, 

1080nm, or customer specified

线宽取决于激光器
侧模抑制> 40 dB for a normal ECDL
Beam Waist 束腰 (2 w0 )2.5 mm x 2.5 mm 或 3毫米x 1.5毫米
光束发散度<2 mrad
M2光束质量取决于激光器
输出偏振p偏振/s-偏振(取决于波长)
重量Laser Head: 0.6 kg, Power Supply: 4.5 kg
激光头尺寸(宽x高x长)54 x 58 x 165毫米


光谱覆盖范围


可选配件

光隔离器

单模保偏光纤

高频电流调制

联系我们了解更多选项


布局示意图






TEC-400-895-2000 型号参数

参数

输出功率>1500mW,主功率>16mW
光束轮廓圆形
模式轮廓M²M²<1.7,取决于主激光器
光束发散:<2 mrad
偏振(polarization):线性,>100:1
线宽:取决于主激光器
侧模抑制取决于主激光器
粗调范围>15nm


TEC-400-895-2000 波长功率等曲线图












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