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锗 Ge 大光敏面PIN光电二极管 近红外 800-1800nm  

锗 Ge 大光敏面PIN光电二极管  近红外 800-1800nm
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线,我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二极管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。


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产品型号 2
货号 操作 名称
E80040032  Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 10mm)   [PDF] 光谱响应范围 800-1800nm;光敏面直径 10mm;响应度@1550nm 0.85 A/W; 光敏材料 Ge;2Pin脚    价格 : 请联系客服 库存/货期:请咨询客服
E80040033  Ge 锗 大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 5mm)   [PDF] 光谱响应范围 800-1800nm;直径 5mm;响应度@1550nm 0.85 A/W;2Pin脚    价格 : 请联系客服 库存/货期:请咨询客服
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筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从400到1700 nm。

为了丰富我们的光电二极管产品线,我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二极管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。

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