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AGSe 硒镓银(AgGaSe2)NIR-IR近红外非线性晶体


透光率;0.76 – 18 µm;单轴负晶 no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no);非线性系数; pm/V d36 = 39.5 @10;6 µm ;对称度 四方晶系; -42m point group

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货号 : A80160206    
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产品总览

AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料,对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 'AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦,AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源;用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源;早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频;上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。

AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生,应用波长可达到中红外的17 µm。


型号参数

主要特性

复合物

AgGaSe2

透光率, µm

0.76 – 18

单轴负晶

no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no)

非线性系数, pm/V

d36 = 39.5 @10,6 µm 

对称度

四方晶系, -42m point group

典型反射系数

10.6 µm

5.3 µm

no=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811

光学损坏阈值, MW/cm2

2000 nm
  (t=30 ns)

13

离散角, °

5.3 µm

0.68

热导系数 k, WM/M°C

1.1

频带隙能量, eV

1.8

光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μm

n0= ne, λ = 0.804

 

光学元件参数

定位精度, arc min

< 30

平行度, arc sec

< 40

平面度

546 nm

λ/4

表面质量, scratch/dig


30/20

应用

  • 有效中红外辐射二次谐波的产生 

  • 中红外区域高达17µm的光学参量振荡器、光学参量放大器等

  • 各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 µm)

 

对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。


其它型号
  名称 型号货号         价格
AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2 A80160205
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GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 G80010032
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LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体 A80160201
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LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 A80160202
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LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 A80160203
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LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体 A80160204
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