AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2
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A80160205
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透光率: µm 0.47 – 13
非线性系数: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µm ;
对称度:四方晶系; -42m point group
晶胞参数:a=5.757; c=10.311;
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GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体
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G80010032
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透光率0.62 – 20µm;非线性系数; pm/V : d22 = 54 @10.6 µm;对称度:六方晶系; 6m2 point group;晶胞参数; Å a=3.74; c=15.89;离散角; ° 5.3 µm
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AGSe 硒镓银(AgGaSe2)NIR-IR近红外非线性晶体
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A80160206
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透光率;0.76 – 18 µm;单轴负晶 no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no);非线性系数; pm/V d36 = 39.5 @10;6 µm ;对称度 四方晶系; -42m point group
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LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体
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A80160201
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透光率; 0.43– 13.2 µm;非线性系数; pm/V:d31=11.78; d24=8.17 @2.3 µm ;对称度:斜方(晶系); mm2 point group ;晶胞参数; Å a=7.192; b=8.412; c=6.793 ;带隙; eV:2.86;定向精度; arc min < 30
平行度; arc sec < 30
546 nm λ/4
表面质量; scratch/dig 30/20
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LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体
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A80160202
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透光率;0.35– 13.2 µm; 非线性系数; pm/V d31=7.25; d24=5.66 @2.3 ;对称度 斜方晶系; mm2 point group ;晶胞参数; Å a=6.893; b=8.0578; c=6.4816 ;定向精度; arc min < 30
平行度; arc sec < 30
平面度 546 nm λ/6
表面质量; scratch/dig 30/20
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LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体
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A80160204
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透光率; 0.33 – 11.6µm;带隙;4.15 eV;定位精度; arc min < 30
平行度; arc sec < 30
平面度 546 nm λ/4
表面质量; scratch/dig 30/20
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