200-1100nm硅基放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm.pdf
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产品描述：
筱晓光子的硅基放大光电探测器感光范围覆盖200nm~1100nm，固定增益，可实现定量光电转换，具备足够增益的同时，保证高带宽性能，适用于光强弱、速度快的光电探测应用开发，性能优秀，性价比高，提供quan方位技术支持，常应用于紫外与可见光测量。
产品特点：
感光范围覆盖200nm~1100nm，常应用于紫外与可见光测量
放大型探测器，固定增益，定量光电转换
具备足够增益的同时，保证高带宽性能，适用于光强弱、速度快的光电探测应用开发
性能优秀，性价比高，quan方位技术支持
提供非标定制服务
应用领域：
紫外线与可见光测量
主要参数：
参数 | 值 | |||||||
波长范围 | 200-1100nm | 400-1000nm | 320-1100nm | 320-1000nm | ||||
感光尺寸 | Φ1.0mm | Φ150um | 1.1mm×1.1mm | Φ0.8mm | ||||
带宽范围 | DC～150MHz | DC～380MHz | DC～20MHz | DC～50MHz | ||||
增益范围 | Hi-Z负载：1×104V/A； | Hi-Z负载：5×104V/A； | 1×1012V/A±10% | Hi-Z负载：100kV/A； | ||||
信号幅值 | Hi-Z负载：0～10V；50Ω负载：0～5V | Hi-Z负载：0～10V；50Ω负载：0～5V | 0～10V | Hi-Z负载：0～3.6V；50Ω负载：0～1.8V | ||||
NEP | 2.92×10-11W/Hz1/2 | 3.6×10-11W/Hz1/2 | 3.0×10-15W/Hz1/2 | 7.8×10-12W/Hz1/2 | ||||
光敏面深度 | 0.09" (2.2 mm) | 0.20" (5.0 mm) | 0.10" (2.4 mm) | 0.07" (1.8 mm) | ||||
工作温度 | 10-50℃ | 10-40℃ | 10-50℃ | |||||
存储温度 | -25-70℃ | |||||||
探测器净重 | 0.10kg | 0.06kg | ||||||
外观尺寸 | 2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm) | 2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.9 mm X 22.5 mm) | ||||||
供电接口 | 供电电源 | 供电开关 | 信号接口 | 支杆接口 | 光学接口 | |||
LUMBERG RSMV3 FEMALE | LDS12B(DP)，±12 VDC稳压线性电源，6W,220VAC | 滑动开关 | BNC母座 | M4 X 2 | SM1 X 1 | |||
尺寸图：
SI响应曲线:
附件1：可选配置表
硅基放大光电探测器 | 可选配置 | ||||
产品名称 | 材料 | 类型 | 特点 | 波长范围 感光尺寸 | 预留可选配置 |
PD: "光电探测器" | S：Si硅基 | A：放大型 | F：固定增益 | 2B10：200-1100nm，Φ1.0mm |
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| 4F015：400-1000nm，Φ150um |
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| 3D11： |
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| 3C8：320-1000nm，Φ0.8mm |
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附件2：型号货号对照表
型号 | 货号 | 规格 |
PDSAF2B10 | A80153417 | 200-1100nm硅基放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm，固定增益1×104V/A，带宽范围DC～150MHz |
PDSAF4F015 | A80153418 | 400-1000nm硅基放大光电探测器，感光尺寸Φ150um，固定增益5×104V/A，带宽范围DC～380MHz |
PDSAF3D11 | A80153419 | 320-1100nm硅基放大光电探测器，感光尺寸1.1mm×1.1mm，固定增益1×1012 V/A ±10%，带宽范围DC～20MHz |
PDSAF3C8 | A80153420 | 320-1000nm硅基放大光电探测器，感光尺寸Φ0.8mm，固定增益100kV/A，带宽范围DC～50MHz |
| 名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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营业执照