320-1100nm硅基放大光电探测器,感光尺寸1.1mm×1.1mm,固定增益1×1012 V/A ±10%,带宽范围DC~20MHz
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货号 : E80043152 | |
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产品描述:
筱晓光子的硅基放大光电探测器感光范围覆盖200nm~1100nm,固定增益,可实现定量光电转换,具备足够增益的同时,保证高带宽性能,适用于光强弱、速度快的光电探测应用开发,性能优秀,性价比高,提供quan方位技术支持,常应用于紫外与可见光测量。
产品特点:
感光范围覆盖200nm~1100nm,常应用于紫外与可见光测量
放大型探测器,固定增益,定量光电转换
具备足够增益的同时,保证高带宽性能,适用于光强弱、速度快的光电探测应用开发
性能优秀,性价比高,quan方位技术支持
提供非标定制服务
应用领域:
紫外线与可见光测量
主要参数:
参数 | 值 | |||||||
波长范围 | 200-1100nm | 400-1000nm | 320-1100nm | 320-1000nm | ||||
感光尺寸 | Φ1.0mm | Φ150um | 1.1mm×1.1mm | Φ0.8mm | ||||
带宽范围 | DC~150MHz | DC~380MHz | DC~20MHz | DC~50MHz | ||||
增益范围 | Hi-Z负载:1×104V/A; | Hi-Z负载:5×104V/A; | 1×1012V/A±10% | Hi-Z负载:100kV/A; | ||||
信号幅值 | Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V | Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V | 0~10V | Hi-Z负载:0~3.6V;50Ω负载:0~1.8V | ||||
NEP | 2.92×10-11W/Hz1/2 | 3.6×10-11W/Hz1/2 | 3.0×10-15W/Hz1/2 | 7.8×10-12W/Hz1/2 | ||||
光敏面深度 | 0.09" (2.2 mm) | 0.20" (5.0 mm) | 0.10" (2.4 mm) | 0.07" (1.8 mm) | ||||
工作温度 | 10-50℃ | 10-40℃ | 10-50℃ | |||||
存储温度 | -25-70℃ | |||||||
探测器净重 | 0.10kg | 0.06kg | ||||||
外观尺寸 | 2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm) | 2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.9 mm X 22.5 mm) | ||||||
供电接口 | 供电电源 | 供电开关 | 信号接口 | 支杆接口 | 光学接口 | |||
LUMBERG RSMV3 FEMALE | LDS12B(DP),±12 VDC稳压线性电源,6W,220VAC | 滑动开关 | BNC母座 | M4 X 2 | SM1 X 1 |
尺寸图:
SI响应曲线:
附件1:可选配置表
硅基放大光电探测器 | 可选配置 | ||||
产品名称 | 材料 | 类型 | 特点 | 波长范围 感光尺寸 | 预留可选配置 |
PD: "光电探测器" | S:Si硅基 | A:放大型 | F:固定增益 | 2B10:200-1100nm,Φ1.0mm |
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| 4F015:400-1000nm,Φ150um |
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| 3D11: |
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| 3C8:320-1000nm,Φ0.8mm |
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附件2:型号货号对照表
型号 | 货号 | 规格 |
PDSAF2B10 | A80153417 | 200-1100nm硅基放大光电探测器,感光尺寸Φ1.0mm,固定增益1×104V/A,带宽范围DC~150MHz |
PDSAF4F015 | A80153418 | 400-1000nm硅基放大光电探测器,感光尺寸Φ150um,固定增益5×104V/A,带宽范围DC~380MHz |
PDSAF3D11 | A80153419 | 320-1100nm硅基放大光电探测器,感光尺寸1.1mm×1.1mm,固定增益1×1012 V/A ±10%,带宽范围DC~20MHz |
PDSAF3C8 | A80153420 | 320-1000nm硅基放大光电探测器,感光尺寸Φ0.8mm,固定增益100kV/A,带宽范围DC~50MHz |
名称 | 型号货号 | 描述 | 价格 |
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